重生之科技崛起- 第117节

　　　　3、所有气流方向均由上往下为主（这一点相当的严格，必须尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配，使粉尘在洁净室内回旋停滞地机会与时间减至最低程度。　　）

　　　　4、所有建材均以不易产生静电吸附地材质为主。　　（这在87年的中国有点难度，不过军事上应该有相关地建材，张国栋应该能搞定）

　　　　5、所有人事物进出。　　都必须经过空气吹浴　（air　shower）　的程序。　　将表面粉尘先行去除。　　（这也是龙腾科技的标准程序）

　　　　6、进出使用人员必须穿戴无尘衣，除了眼睛部位外。　　均需与外界隔绝接触（人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源，为此务必严格要求穿戴无尘衣，就像现在他们进来，而在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿戴得像航天员一样。　　当然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。　　）

　　　　7、使用水只能限用去离子水　（DI　water；　de…ionized　water）。　　（这是除了空气以外的又一则严格要求！一来防止水中粉粒污染晶圆，二来防止水中重金属离子，如钾、钠离子污染金氧半　（MOS）　晶体管结构之带电载子信道　（carrier　channel），影响半导体组件的工作特性。　　去离子水以电阻率　（resistivity）　来定义好坏，一般要求至17。5MΩ…cm以上才算合格；为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与UV紫外线杀菌等重重关卡，才能放行使用。　　由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂，其在半导体工业之使用量极为惊人！所以张国栋又多了一项扶植下游产业的机会！）

　　　　8、洁净室所有用得到的气源，包括吹干晶圆及机台空压所需要的，都得使用氮气　（98），吹干晶圆的氮气要求99。8以上的高纯氮！”

　　　　看着上面的规定，张国栋长长的舒了一口气，这样的规定，这样的细节，张国栋知道其实还有诸如污水处理，废气排放等环保问题，这也需要大规模的投入，后世的意法半导体就是以环境保护措施施行严格闻名的。

　　　　很显然，从初步震撼中回神的技术员们也看到了墙上的规定，也许别的他们不知道，可是那个限用重离子水和99。8的纯氮就让他们吃惊得舌头都要吐出来了。　　那位小白同志显然对自己造成的震撼也比较满意，不过当他看到张国栋那若无其事的样子后心中又微微的不服气起来，尽管他听总裁说眼前这家伙也算是一个大老板了。

　　　　好在龙腾科技已经有了初步的洁净室了，虽然可能没有办法提升到Intel这种比较变态的class1级，但是从class10到class5应该还是不难的，只要再增添一些设备，然后在某些设计方面做些必要的改进，对管理进行得更加严格一些应该就没问题了。　　张国栋是暗暗下定决心，回到深圳后一定要将洁净室的等级给提上去，细节决定成败，既然目前龙腾科技没办法弄到1。5微米的生产线，那么就在细节上下功夫！

　　　　随着小白同志的带领，张国栋他们进入到硅晶圆的制作室，硅晶圆是一切集成电路芯片的制作母材料。

　　　　“我们Intel采用的是柴可拉斯基拉晶法（CZ法），你们看，现在机器正在进行拉晶，首先要将特定晶向的晶种浸入过饱和的纯硅熔汤中，然后同时旋转拉出，硅原子便会依照晶种的晶向，乖乖的一层层往上涨，你们看，那儿，就是得到的晶棒。　　当然我们Intel是不会使用这种原始的晶棒的，我们一般会采用FZ法将之再结晶，将杂质逐出，提高纯度与阻值。　　”

　　　　“各位，看看这里吧，这是对晶棒进行机械加工修边，毕竟刚刚拉出的晶棒外径可不会一致，修完边后我们便用X光绕射法定住主切面的所在，磨出该平面，再以内刃环锯，削下一片片的硅晶圆。　　最后经过粗磨　（lapping）、化学蚀平　（chemical　etching）　与拋光　（polishing）　等程序，得出具表面粗糙度在0。3微米以下拋光面之晶圆（至于晶圆厚度，与其外径有关）　。　　　”

　　　　“各位，我给你们讲解得这样细致就是知道，即使给你们我们Intel一模一样的设备你们也不可能复制我们Intel的奇迹，要知道我们做到今天这一步可是经过了快20年的积累，有的时候经验这个东西不是你想学就能学会的。　　你们看，如此现代化的设备多么令人迷醉，那么是拥有那么迷人的艺术气息，各位，难道你们不感叹么？”看得出，该小白是个设备狂，不过张国栋对于他说得也微微赞同，确实，即使将Intel的设备原样不动的搬到中国也同样生产不出达标的晶圆，说到底还是人的因素，经验这东西是需要摸索和沉淀的。　　看看后世大众和上汽的合作，一模一样的零件就是生产不出让人满意的质量的汽车就可以知道，其实无论现代化进程有多高，人才是决定一切的因素。

　　　　“接下来，我会给你介绍一些设备，希望能让你们有所收获。　　”！~！

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第一百三十四章：开眼界

　　　　“我已经听我们Boss说了，你们中国目前也是有晶圆厂的，那么有些东西我就省略不讲了。　　下面我就讲讲你们面前这座氧化炉吧。　　大家知道，对硅半导体而言，只要在高于或等于1050℃的炉管中，通入氧气或水汽，自然可以将硅晶的表面予以氧化，生长所谓干氧层（dryz/gate　oxide）或湿氧层（wet　/field　oxide），当作电子组件电性绝缘或制程掩膜之用。　　氧化是半导体制程中，最干净、单纯的一种；这也是硅晶材料能够取得优势的特性之一。　　硅氧化层耐得住850℃　~　1050℃的后续制程环境，是因为该氧化层是在前述更高的温度成长；不过每生长出1　微米厚的氧化层，硅晶表面也要消耗掉0。44微米的厚度。

　　　　氧化可以说是所以后续工艺的基础，硅氧化的质量决定了后续晶圆加工的质量，所以我们在氧化制程过程中也会遵循一些特点，当然，这也是我们Intel的独门诀窍。　　”说完，小白同志在仔细观察张国栋他们这群人的反映，让他得意的是这群来自中国的土包子果然都竖起了耳朵，嘿嘿，真以为独门诀窍是这么好学的么，即使告诉他们一点经验也无关紧要吧，不过当他看到张国栋那种淡然的表情又恼怒起来，心中更是涌起了一定要给张国栋一个震撼看看的情绪，这也让他不知不觉中将很多原本不打算讲地事情给讲了出来。　　所以，冲动是魔鬼啊。

　　　　“氧化层的成长速率不是一直维持恒定的趋势，制程时间与成长厚度之重复性是较为重要的考量。　　后长的氧化层会穿透先前长的氧化层而堆积在上面。　　换句话说，氧化所需之氧或水汽，势必也要穿透先前成长的氧化层到硅质层。　　所以如果要生长出更厚地氧化层，遇到的阻碍也越来越大。　　一般而言，很少成长2微米厚以上之氧化层。　　注意。　　是2微米，这还是经过我们Intel苦心钻研地结果。　　以前连2微米都很难达到。　　干氧层主要用于制作金氧半（MOS）晶体管的载子信道（channel）；而湿氧层则用于其它较不严格讲究的电性阻绝或制程罩幕（masking）。　　前者厚度远小于后者，1000~　1500埃已然足够。　　至于如何选择的问题就要根据自身的条件来调整这个比例了，毕竟对于一个如此烧钱的产业来说，产能在短时间内几乎是稳定的，连我们Intel也没办法做到半年一个厂。　　我想世界上应该还没有一个厂具备我们这样地条件吧。　　”小白说完带着一点得意和挑衅的眼神望着张国栋他们，可惜张国栋他们来之前可是做足了功课的，要说芯片大户。　　那绝对是Intel独霸天下，可要说晶圆厂，那就不是Intel一言堂了，所以我们的钟志华先生就有话说了，“虽然贵公司在晶圆生产方面达到了一个很高的产量，但是日本不是还有东芝，NEC等一系列公司的晶圆产能都比你们高么？”

　　　　到底还是20多岁的年轻人，像张国栋这样心理年龄达到五十岁的老家伙就不会去在意这些虚名。　　他吹你只管让他吹就是了，又不会少一块肉，又不是什么涉及到祖国和民族尊严地事情，他吹得越猛，不是越方便自己闷声发大财么。　　不过既然自己的员工已经开了口，自己这个做老板的当然要为他们出头了。　　不然这些鬼佬还真以为自己这些人是什么都不知道的乡巴佬呢。　　于是张国栋接过话说到。

　　　　“没错，日本的NEC在这方面的确是走上了贵厂地前面，要知道这个时候的日本可是号称的经济要很快的赶超你们美国！NEC的钱可是多到用不完呢，嘿嘿。　　”张国栋这家伙又在利用美国佬的民族自尊心，唉，虽然美国佬是彻头彻尾的没有民族的家伙，可好歹人家长年累月的站在世界最高位，虽然旁边还有一群伊万在虎视眈眈，可美国佬除了害怕他们的核武器以外还真什么都没有怕过。　　现在竟然跳出了个不知死活地小日本，这可真刺痛了这些山姆大叔那高傲地心。

　　　　果然。　　张国栋一提小日本。　　眼前这位标准的撒克逊后代要不是身上穿着无尘衣可就真要跳起来了，打人不打脸。　　张国栋这家伙太坏了，人家最出名地企业纷纷被小日本给买下了，而Intel在存储器市场更是被人打得落花流水。　　要不是小日本孤寂美国的军事实力，不得不向山姆大叔的核武低头，计算机市场鹿死谁手还不知道呢。

　　　　不过怎奈张国栋他们是说的是实话，在真理面前总是没法反驳的，所以我们的小白同志一张脸，即使隔着一层膜也能让人看见那脸红得滴血了。　　真是难为他了，只见他努力平息了一下自己的心情，嘴里还不断的念念有词，或许是说的冲动是魔鬼，冲动是魔鬼，谁知道了。　　龙腾的这群家伙也不为几甚，毕竟，无论怎样人家总比自己的龙腾强多了吧，愉悦了一下自己也就罢了。

　　　　“对不同晶面走向的晶圆而言，氧化速率有异：通常在相同成长温度、条件、